直接接合法による SiO_2 膜電流狭窄型半導体レーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SiO_2膜とInPを直接接合することにより、SiO_2を電流狭窄層として用いた1.3-μm InGaAsP/InP半導体レーザを作製した。共振器長300μm、端面コート無しのレーザにおいてしきい値電流密度1.9kA/cm^2が得られ、本構造ではリーク電流がほとんど無視できることがわかった。またデバイス面積が300μm×300μmと大きいにもかかわらず、31pFという小さな容量が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
著者
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 先端デバイスラボラトリ
-
小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部
-
和田 浩
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
和田 浩
沖電気工業(株)
-
和田 浩
沖電気工業
-
上条 健
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業株式会社occ研究開発部
-
上条 健
沖電気工業 光エレクトロニクス研
-
小川 洋
沖電気工業 (株) 研究開発本部
関連論文
- 分周ハイブリッドモード同期法によるモノリシック半導体レーザパルス列の安定化と制御
- 33GHzモノリシックモード同期半導体レーザパルス列の非線形光ループミラーによる全光型スイッチング
- BCS-1-8 アイソレータフリーモジュール用1.49μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(BCS-1.アクセスシステムを支える光技術,シンポジウムセッション)
- 伸張歪MQW可飽和吸収体を集積化したモード同期半導体レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック再生実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- アイソレータフリーモジュール用1.3μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 二重通過型半導体光強度変調器の基本特性
- 歪補償量子井戸レーザによる緩和振動周波数の増大
- コプレーナ電極構造を持つ電界吸収型光変調器の基本特性
- 低チャープ・低偏波依存性InGaAsP電界吸収型光変調器
- 10Gb/s光伝送用EA型変調器モジュール
- InGaAsP電界吸収型光変調器付きDFBレーザ
- B-10-21 偏波コンバータを内蔵したNOLMによる制御光偏波無依存全光2R再生実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- C-4-18 超高速モード同期半導体レーザと改良型NOLMを用いた光3R機能付き160Gbps-OTDM光パルス信号源(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(ファイバレーザ・短パルス光源), エレクトロニクス1)
- 最新技術解説 40GHz光パルス光源 (AP@PLAT特集)
- SC-13-5 ミリ波帯モード同期半導体レーザ(SC-13.ミリ波・サブミリ波発生用光源技術の現状と展開)
- 高速モード同期半導体レーザおよびその応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]高速モード同期半導体レーザおよびその応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-23 再生モード同期法によるモード同期半導体レーザの低時間ジッタ化
- 再生モード同期半導体レーザの動作特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 超高速モード同期半導体レーザ
- モード同期半導体レーザーによる超高繰り返し光パルス発生
- C-4-7 光パルス注入によるモード同期半導体レーザの安定化
- C-4-17 40GHzモード同期半導体レーザモジュール
- モード同期パルスのファイバ伝送による繰り返し逓倍高速光パルス列発生
- モード同期半導体レーザを用いた超短光パルス発生技術
- 光ファイバを用いたフェムト秒モード同期半導体レーザの非線形チャープ補償
- モード同期半導体レーザを用いた超高速光パルス発生とコード化実験
- 半導体レーザを用いた超高速光パルス列発生と制御
- モ-ド同期半導体レ-ザ (先端技術特集)
- 半導体レ-ザ-による超高繰り返しパルス発生 (レ-ザ-制御)
- 40Gb/s用EA変調器集積DFBレーザモジュール
- MOVPE選択成長を用いたEA-変調器集積波長可変DBRレーザ
- 光通信用半導体疑似位相整合波長変換素子
- 光通信用半導体疑似位相整合波長変換素子
- BCS-1-8 アイソレータフリーモジュール用1.49μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(BCS-1.アクセスシステムを支える光技術,シンポジウムセッション)
- 伸張歪MQW可飽和吸収体を集積化したモード同期半導体レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック再生実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 伸張歪MQW可飽和吸収体を集積化したモード同期半導体レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック再生実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- アイソレータフリーモジュール用1.3μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- B-10-76 MLLDの縦モード変調を用いた時間分割波長ホップ光符号拡散方式に関する実験的検討(B-10. 光通信システムB(光通信))
- 負のチャープを持つ1.55μm帯電界吸収型光強度変調器の基本特性
- モノリシック構成モード同期半導体レーザによる超短光パルス発生実験
- 半導体レ-ザからの超短光パルスの発生と伝送への応用 (光通信特集)
- NOLMとモード同期半導体レーザを用いた160Gbps光3R再生実験(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- NOLMとモード同期半導体レーザを用いた160Gbps光3R再生実験(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- NOLMとモード同期半導体レーザを用いた160Gbps光3R再生実験(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 直接接合法による SiO_2 膜電流狭窄型半導体レーザ
- InGaAlAsを障壁層に用いた1.55μm帯低しきい値レーザ
- DBRレーザを用いたハイブリッドモード同期法による光パルス列の発生
- GHz帯超高速モード同期半導体レーザの縦モード線幅とその相対強度雑音特性の測定(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 超高速モード同期半導体レーザの縦モード線幅とその強度雑音特性の測定(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 超高速モード同期半導体レーザの縦モード線幅とその強度雑音特性の測定(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-24 モード同期半導体レーザの縦モード線幅およびその強度雑音の測定
- 3-2 半導体パルス光源及び圧縮デバイス(3.フェムト秒光源(次世代産業基盤を支えるフェムト秒テクノロジーの動向))
- 光源とシリコンマイクロレンズの高精度実装技術(光パッケージ技術)(光回路実装技術の現状と今後 : ブロードバンド時代を迎えて)
- 自由空間を用いたボード内光インターコネクション
- 平板光学基板と光素子集積型LSIとを用いたチップ間光インタコネクション
- 光学基板によるチップ間自由空間光配線
- チップ間光配線用平板光学素子光回路(光回路実装技術)
- 平板光学素子を用いた平面実装型チップ間自由空間光配線
- 平板光学素子を用いた平面実装型チップ間自由空間光配線
- 平板光学素子を用いた平面実装型チップ間自由空間光配線
- 平板光学素子を用いた平面実装型チップ間自由空間光配線
- 回折光学素子を用いたチップ間光配線用光回路 (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (光実装)
- MOCVD選択成長による4波多重DBRレーザアレー
- 1.3μm帯AlGaInAs/InP MQWレーザの高温度特性
- 直接ボンディングによる3次元光配線
- 40Gb/s用EA変調器集積DFBレーザモジュール
- 平板光学素子を用いたチップ間光インターコネクション用光回路
- 室温大気中接着と熱処理を介して
- 直接接合によるSi基板上InPレーザの室温CW発振
- 異種半導体基板の直接接合と光デバイスへの応用 (先端技術特集)
- 異種半導体基板の直接接着と光デバイスへの応用
- モード同期半導体レーザー光源
- 解説 モード同期半導体レーザー光源 (超短パルス光と光通信)
- 1997 lnternational Conference on lndium Phosphide & Reltee
- 超高速光デバイスおよびレーザー技術の動向
- PC-2-6 モードロックLDの現状と展望
- 選択的に酸化されたGaAs/AlAs多層膜の均一性と界面急峻性