選択的に酸化されたGaAs/AlAs多層膜の均一性と界面急峻性
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概要
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側壁からAlAs層だけ選択的に酸化したGaAs/AlAs多層膜について、酸化長さの均一性および酸化部と未酸化部との界面の急峻性につて検討した。その結果、酸化炉中において水蒸気を導入して酸化を行う前に窒素ガス雰囲気中で熱処理を施すことによって均一性が著しく改善されることを見いだした。また酸化部と未酸化部の界面についても詳しい観察を行い、構造的にも組成的にも原子オーダーの急峻性を持つことを明らかにした。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
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