コプレーナ電極構造を持つ電界吸収型光変調器の基本特性
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概要
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10Gb/sを越える光伝送システムへの応用を目的として、電界吸収型光変調器が広く研究されている。吸収型変調器の変調帯域の向上には素子容量低減が重要である。今回、電極間容量の存在しないコプレーナ電極を採用した電界吸収型変調器を試作し、その基本特性を調べたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 先端デバイスラボラトリ
-
小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
村井 仁
沖電気半導体技術研究所
-
山田 光志
沖電気半導体技術研究所
-
松井 康浩
沖電気半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気半導体技術研究所
-
山田 光志
沖電気工業(株)オプティカルコンポーネントカンパニー
-
松井 康浩
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業株式会社occ研究開発部
-
国井 達夫
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
村井 仁
沖電気工業(株)ネットワークシステムカンパニー
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