40GHz変調帯域受動導波路付きMQW-EA変調器
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概要
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電界吸収型変調器(EA-MOD)の変調帯域を向上させるには、短素子長化による電気容量の低減がもっとも効果的であり、素子長を約100μm以下にすることによって40GHz以上の広変調帯域が実現されている。しかし、単体変調器の場合、そのように短い長さに劈開することは容易ではなく、これまで、アンドープ受動導波路を集積化する方法が提案されている。我々は、今回、p-InP層を共通のクラッドとした受動導波路集積化EA-MODを開発し、高速・低損失・高消光比特性を達成したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 光志
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
-
山田 光志
沖電気工業(株)オプティカルコンポーネントカンパニー
-
堀川 英明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
堀川 英明
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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