MOCVD選択成長による4波多重DBRレーザアレー
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概要
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波長分割多重通信用光源の作製を目的とし,MOCVD選択成長を利用して発振波長の異なるDBRレーザアレーの試作を行った.選択成長を用いた導波路の厚みの制御により実効屈折率を変化させれば,単一ピッチグレーティングでも発振波長をシフトさせることが可能になる.本研究ではまず,選択成長の集積デバイスへの適用範囲を確認するために種々の幅の成長阻止マスクを形成したInP基板上に成長させたInGaAsPの結晶性の評価を行い,部分的に厚みが2倍程度まで異なる層が1回の成長で形成できることを確かめた.次にこの結果を踏まえて,単一ピッチグレーティングで導波路の厚みの変化によりブラッグ波長を変えたミラーをもつ,発振波長が5nm間隔で15nm異なる4波多重DBRレーザアレーを実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-25
著者
-
加藤 幸雄
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
松井 康浩
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
和田 浩
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
和田 浩
沖電気工業(株)
-
松井 康浩
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
和田 浩
沖電気工業
-
上條 健
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
川井 義雄
沖電気工業株式会社半導体技術研究所
-
上條 健
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
上條 健
沖電気工業 半導体技研
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