1.3μm帯AlGaInAs/InP MQWレーザの高温度特性
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概要
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1.3μm帯半導体レーザは加入者系光通信システムのキーデバイスとして、低コストでの実現が求められている。高温でのレーザ特性改善により、温度調節器なしのモジュールが作成可能となり、低コストが実現できる。AlGaInAsはGaInAsP系に比べ、電子の閉じ込めが強く、高温で良好な特性が得られ、クーラレスレーザには大変有望である。本報告では、AlGaInAsレーザの高温度特性について、AllnAs電子停止層(ESL)の効果および井戸数依存性の観点から述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-24
著者
-
宗像 務
沖電気工業株式会社
-
武政 敬三
沖電気工業株式会社
-
和田 浩
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
和田 浩
沖電気工業(株)
-
久保田 宗親
沖電気工業 光エレクトロニクス研究所
-
和田 浩
沖電気工業
-
上條 健
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
上條 健
新情報処理開発機構光インタコネクション沖研究室
-
宗像 務
コンポーネント事業部
-
小林 正男
沖電気工業 光エレクトロニクス研究所
-
武政 敬三
沖電気工業 光エレクトロニクス研究所
-
上條 健
沖電気工業 半導体技研
-
武政 敬三
沖電気工業
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