1.65μm高出力MQW-FP-LD
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概要
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中継系光伝送路の最大中継間隔の長距離化に伴い、中継系光線路の定期試験に1.65μm帯のOTDRの適用が検討されている。今回我々は活性層に歪みMQW構造を導入し、MOVPE埋込み成長にてBH構造の素子を作製した。共振器長700μm、素子の前面を5%、後面を95%に誘電体膜をコーティングし、25℃、駆動電流800mAでファイバ出力100mWという良好な素子特性を得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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宗像 務
沖電気工業株式会社
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鹿島 保昌
沖電気 光デバイス事業部
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鹿島 保昌
沖電気工業
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宗像 務
沖電気光デバイス事業部
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鹿島 保昌
沖電気光デバイス事業部
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楠本 茂宏
沖電気光デバイス事業部
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的場 昭大
沖電気光デバイス事業部
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