直接接合によるSi基板上InPレーザの室温CW発振
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概要
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SiとInPの直接接合技術を用いてSi基板上に1.3μm帯InGaAsP/InPレーザを作製した。接合温度を400℃にまで低温化してウェハの発光効率劣化を回避した結果、Si基板上のInPレーザで室温CW発振を得ることに成功した。本技術はSi LSIチップ間の光インターコネクションを実現するための要素技術として有用であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
和田 浩
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
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和田 浩
沖電気工業(株)
-
上条 健
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
和田 浩
RWCP光沖研究室 沖電気工業(株) 半導体技術研究所
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上条 健
RWCP光沖研究室 沖電気工業(株) 半導体技術研究所
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