低チャープ・低偏波依存性InGaAsP電界吸収型光変調器
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概要
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電界吸収型変調器を、>10Gb/s IM/DDの長距離大容量光通信に用いる場合、極めて小さなチャーピングが要求される。また光DEMUXなどへの応用では、特に消光の偏波無依存性が望まれる。今回我々は、低ディチューニング組成InGaAsPバルタ吸収層を持つ光変調器を作製し、低チャープ特性を達成するとともにパワーペナルティの耐分散特性を評価した。また、消光の偏波依存性についても調べたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 光志
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
松井 康浩
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
佐藤 秀暁
沖電気工業(株)通信ネットワーク事業本部
-
尾関 幸宏
沖電気工業(株)通信ネットワーク事業本部
-
尾関 幸宏
沖電気工業(株)ネットワークシステムビジネスグループ
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
-
山田 光志
沖電気工業(株)オプティカルコンポーネントカンパニー
-
松井 康浩
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
佐藤 秀暁
沖電気工業
-
小川 洋
沖電気工業株式会社occ研究開発部
-
尾関 幸宏
沖電気工業株式会社ネットワークシステムビジネスグループネットワークシステム開発センター
-
尾関 幸宏
沖電気工業
-
尾関 幸宏
ネットワークシステムビジネスグループ
-
国井 達夫
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
小川 洋
沖電気工業 (株) 研究開発本部
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