SOI導波路基板上へのLDチップ実装方法に関する検討(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
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概要
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SOI光集積プラットフォーム上に,半導体レーザ(LD)やフォトダイオード(PD)を集積化する技術が求められている.本論文では,SOI光集積プラットフォーム上へのLDの実装方法およびSi細線光導波路とLDとの低損失結合方法について理論的および実験的に検討した.検討した構造としては,LDをSOI光集積プラットフォーム上へフリップチップ実装し,スポットサイズ変換器を設けたSi細線光導波路とButt-joint結合させる方法である.解析では,2dB程度の最小光結合損失が得られることが分かり,光結合損失の測定結果と比較することで,解析の妥当性を示す.また,チップ実装時の位置ずれに対しても,十分なトレランスを有することが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-06
著者
-
大寺 康夫
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
山田 博仁
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
宮村 悟史
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
大寺 康夫
東北大学大学院工学研究科
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
-
阿部 政浩
東北大学大学院工学研究科
-
北 智洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
山田 博仁
東北大学大学院工学研究科
-
宮村 悟史
沖電気工業株式会社
-
北 智洋
東北大学大学院工学研究科
-
中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
北 智洋
東北大学工学研究科
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