1.55-μm帯低偏波依存性光増幅器集積EA変調器
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概要
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電界吸収型変調器(EAM)に半導体光増幅器(SOA)を集積した逆メサリッジ導波路構造のSOA集積化EAMを開発した。偏波依存性を低減させるため、EAMおよびSOAの歪み量を最適化した多重量子井戸構造を用いることにより、波長1.55μm近傍で低偏波依存特性(<1dB)を有し、利得4dB(@200mA)、消光比15dB(@-3V)、変調帯域15GHz以上の特性を得た。入力光強度6.7dBmの光をEAM側から入射させたとき、EAMチャープパラメータは電圧0V印加付近で0.4とSOA側から入射させたときに比べ大幅に減少することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
著者
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
-
大柴 小枝子
沖電気工業株式会社
-
大柴 小枝子
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
堀川 英明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
堀川 英明
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
大柴 小枝子
沖電気工業(株)(財)光産業技術振興協会
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