選択MOVPEによるV族組成変化の InGaAsP 組成依存性
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概要
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MOVPEによる選択成長において、X線回折測定とPL測定から選択成長領域の組成を求めた。成長層の組成は、Inの増加とは別に、マスク幅が増大するにつれAs組成が減少することがわかった。更にこのことを確認するために、選択成長したときと同じ格子不整合量になるように、III族の気相比を変えた成長層と選択成長層の組成を比較した。その結果、明らかにAs組成が減少していることを確認した。また、バンドギャップ波長1.15〜1.6μ/mのInGaAsPを選択成長し、四元混晶組成依存性を調べた結果、長波長のInGaAsPになるにつれ、同じマスク幅でAs組成が減少することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
-
大柴 小枝子
沖電気工業株式会社
-
大柴 小枝子
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
堀川 英明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
堀川 英明
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
大柴 小枝子
沖電気工業(株)(財)光産業技術振興協会
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