負のチャープを持つ1.55μm帯電界吸収型光強度変調器の基本特性
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概要
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バンドギャップ波長1.50μmのInGaAsPバルク吸収層とポリイミド埋め込みハイメサリッジ構造を導入した電界吸収型光変調器を作製し、構造パラメータの最適化を行った。その結果、on-stateで負のチャーピングを有し、かつ挿入損失12dB、消光効率8dB/V、変調帯域>18GHzを実現した。また、パイルアップ防止層の導入により、高光入力に対しても各種特性が劣化しないことを確認した。さらに、この素子をモジュール化して10Gbit/sで通常分散ファイバによる伝送実験を行い、分散補償や非線形の効果を用いずに、90km以上の伝送距離を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-22
著者
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小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 先端デバイスラボラトリ
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小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
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中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
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山田 光志
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
松井 康浩
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
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山田 光志
沖電気工業(株)オプティカルコンポーネントカンパニー
-
松井 康浩
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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堀川 英明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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国井 達夫
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
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中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
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堀川 英明
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業 (株) 研究開発本部
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