InGaAlAsを障壁層に用いた1.55μm帯低しきい値レーザ
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概要
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長波長帯半導体レーザの低しきい値化は加入者系光通信システムの構築に不可欠な課題であり、各研究機関で盛んに研究されている。量子井戸構造の障壁層に広く用いられているInGaAsPに代わりInGaAlAsを用いた場合、伝導帯のキャリアオーバーフローの抑制や、価電子帯のキャリアの注入不均一の改善が望め、レーザのしきい値、変調特性の改善が期待される。今回、低しきい値レーザを目的として、InGaAlAsを障壁層に用いた歪みInGaAsP量子井戸レーザ、及び、高速変調の改善を目的として歪み補償InGaAlAs/InGaAsP量子井戸を作製し評価を行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 先端デバイスラボラトリ
-
小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
村井 仁
沖電気工業株式会社 ISCネットワークインキュベーション本部
-
松井 康浩
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所
-
松井 康浩
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
国井 達夫
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業 (株) 研究開発本部
-
村井 仁
沖電気工業(株)ネットワークシステムカンパニー
-
村井 仁
沖電気工業
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