二重通過型半導体光強度変調器の基本特性
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概要
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消光効率の改善と広帯域化におけるトレードオフの関係を克服するための一つの解決方法として、二重通過型の半導体光変調器を提案する。InGaAsPバルク吸収層とポリイミド埋め込みメサリッジ構造を用いた導波路長130μmの素子において、10dB消光電圧として1V以下、変調帯域として20GHzを得た。これによって同じ素子長の単一通過型の場合に比べて、200%の帯域・動作電圧比の向上が達成された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-26
著者
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 先端デバイスラボラトリ
-
小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 光志
沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所
-
中村 幸治
沖電気工業株式会社
-
山田 光志
沖電気工業(株)オプティカルコンポーネントカンパニー
-
小川 洋
沖電気工業株式会社occ研究開発部
-
中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
小川 洋
沖電気工業 (株) 研究開発本部
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