GaAs MESFET リミッタの位相変位低減法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光通信の高速、大容量化に伴い、10Gb/s光通信シスムが開発されている。我々は10Gb/s用GaAsMESFETリミッタアンプICモジュールを開発し、その特性について既に報告した。今回リミッタアンプを構成するFET差動ペアのゲート端子に並列にインダクタを付加することにより、位相変位のさらに少ない、リミッタアンプモジュールの実現が可能であることがわかったので、その回路の構成法について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
尾関 幸宏
沖電気工業(株)通信ネットワーク事業本部
-
尾関 幸宏
沖電気工業(株)ネットワークシステムビジネスグループ
-
王 ぶんは
沖電気工業(株)通信ネットワーク(事本)光通信技術第一部
-
尾関 幸宏
沖電気工業
-
尾関 幸宏
ネットワークシステムビジネスグループ
関連論文
- 低チャープ・低偏波依存性InGaAsP電界吸収型光変調器
- 10Gb/s光伝送用EA型変調器モジュール
- B-10-140 光パケット圧縮伸張技術を用いた通信ノード方式の検討(2) : パケット圧縮装置
- EA変調器を用いた80Gb/s光TDM MUX/DEMUXの開発
- 通常分散ファイバを用いた分散マネージメント波長分割多重ソリトン伝送
- 分散マネージメントによる通常分散ファイバ上での大容量・波長分割多重・光ソリトン伝送方式の検討 (ネットワークソリューション特集) -- (ファンダメンタル・ネットワークソリューション)
- ファイバ・ブラッグ・グレーティングを用いた10Gbit/sec多段分散補償伝送に関する考察
- ファイバ・ブラッグ・グレーティングを用いた10Gbit/sec多段分散補償伝送に関する考察
- ファイバ・ブラッグ・グレーティングを用いた10Gbit/sec多段分散補償伝送に関する考察
- ファイバ・ブラッグ・グレーティングを用いた10Gbit/sec多段分散補償伝送に関する考察
- 通常分散ファイバを用いた20Gbit/s・2700km-偏波多重・光ソリトン伝送
- 通常分散ファイバを用いた光ソリトンの伝送特性
- ファイバブラッググレーティングを用いた分散補償における周期的残留遅延の影響
- 小型化 10Gb/s 光受信器
- GaAs MESFETによる10Gb/sクロック抽出用ICの開発
- GaAs MESFET リミッタの位相変位低減法
- 10Gbps光通信用ピーク検出機能付クロックリミッタモジュール
- 10Gb/s GaAs MESFET AGCアンプモジュールの開発
- 10Gb/s光伝送用送信モジュール : EA変調器付きDFBレーザ・GaAsドライバIC内蔵
- マッハツェンダー型LN光変調器のDCドリフト補償方式
- 10Gb/s光伝送用送信モジュール : 電界吸収型変調器付きDFBレーザ・GaAsドライバIC内蔵
- 10Gb/s光受信器
- 10Gb/s×4波長多段エルビウムドープ光ファイバアンプ伝送実験(SNR劣化について)
- B-10-50 EA変調器を用いた20Gb/s×2光TDM MUX/DEMUXの開発
- 10Gb/s光伝送用送信・受信モジュール
- Charped Fiber GratingによるLDの波長安定化
- B-10-110 テラビット級長距離伝送用1.58μm帯EDFA
- 二波長帯WDM分散マネージソリトンによるテラビット長距離伝送(3) : 1.58μm帯EDFAの開発
- 80Gb/s光TDM MUX/DEMUXの開発(超高速・大容量光伝送/処理,波分散,及びデバイス技術,一般)
- 80Gb/s光TDM MUX/DEMUXの開発
- 80Gb/s光TDM MUX/DEMUXの開発
- ファイバグレーティング波長分散補償素子を用いた10 G bit/s伝送特性
- エルビウムドープ光ファイバ増幅器の利得平坦化技術
- 10Gbit/s光送信器,3R光受信器 (光通信特集)
- グレーティングを用いた波長ルーティング構成