Neuron-MOS V_T Cancellation Circuit and Its Application to a Low-Power and High-Swing Cascode Current Mirror
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概要
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In this paper, a threshold voltage (V_T) cancellation circuit for neuron-MOS (vMOS) analog circuits is described. By connecting the output terminal of this circuit with one of the input terminals of the vMOS transistor, cancellation of V_T is realized. The circuit has advantages of ground-referenced output and is insensitive to the fluctuation of bias and supply voltages. Second-order effects, such as the channel length modulation effect, the mobility reduction effect and device mismatch of the proposed circuit are analyzed in detail. Low-power and high-swing vMOS cascode current mirror is presented as an application. Performance of the proposed circuits is confirmed by HSPICE simulation with MOSIS 2.0μ p-well double-poly and double-metal CMOS device parameters.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
著者
-
Tang Zheng
Miyazaki University
-
Tang Zheng
The Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
丹野 浩一
一関工高専
-
Shen Jing
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
ISHIZUKA Okihiko
Miyazaki University
-
TANNO Koichi
The Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
SHEN Jing
The Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
ISHIZUKA Okihiko
The Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
Ishizuka Okihiko
The Faculty Of Engineering Miyazaki University
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