Neuron-MOS Current Mirror Circuit and Its Application to Multi-Valued Logic (Special Issue on Multiple-Valued Logic and Its Applications)
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概要
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A neuron-MOS transistor (υMOS) is applied to current-mode multi-valued logic (MVL) circuits. First, a novel low-voltage and low-power υMOS current mirror is presented. Then, a threshold detector and a quaternary T-gate using the proposed υMOS current mirrors are proposed. Tho minimum output voltage of the υMOS current mirror is decreased by V_T (threshold voltage), compared with the conventional double cascode current mirror. The υMOS threshold detector is built on a υMOS current comparator originally composed of υMOS current mirrors. It has a high output swing and sharp transfer characteristics. The gradient of the proposed comparator output, in the transfer region can be increased 6.3-fold compared with that in the conventional comparator. Along with improved operation of the novel current comparator, the discriminative ability of the propesed υMOS threshold detector is also increased. The performances of the proposed circuits are validated by HSPICE with Motorola 1.5μm CMOS device parameters. Furthermore, the operation of a υMOS current mirror is also confirmed through experiments on test chips fabricated by VDEC*. The active area of the proposed υMOS current mirror is 63μm×51μm.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-25
著者
-
TANG Zheng
Faculty of Engineering, Toyama University
-
Tang Zheng
Miyazaki University
-
TANNO Koichi
Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
ISHIZUKA Okihiko
Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
Tang Zheng
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
丹野 浩一
一関工高専
-
Tanno Koichi
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
Shen Jing
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
ISHIZUKA Okihiko
Miyazaki University
-
Ishizuka Okihiko
The Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
Ishizuka Okihiko
Faculty Of Engineering Miyazaki University
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