Ultra-Low Power Two-MOS Virtual-Short Circuit and Its Application
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概要
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In this paper, a virtual-short circuit which consists of only two MOS transistors operated in the weak-inversion region is proposed. It has the advantages of almost zero power consumption, low voltage operation, small chip area, and no needlessness of bias voltages or currents. The second order effects, such as the device mismatch, the Early effect, and the temperature dependency of the circuit are analyzed in detail. Next, current-controlled and voltage-controlled current sources using the proposed virtual-short circuit are presented as applications. The performance of the proposed circuits is estimated using SPICE simulation with MOSIS 1.2μm CMOS device parameters. The results are reported on this paper.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-25
著者
-
TANG Zheng
Faculty of Engineering, Toyama University
-
Tang Zheng
Miyazaki University
-
TANNO Koichi
Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
ISHIZUKA Okihiko
Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
Tang Zheng
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
丹野 浩一
一関工高専
-
Tanno Koichi
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
ISHIZUKA Okihiko
Miyazaki University
-
Ishizuka Okihiko
The Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
Ishizuka Okihiko
Faculty Of Engineering Miyazaki University
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