多層干渉層を持つ相変化媒体の高密度記録特性
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概要
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Au5層LtoH媒体で見られたクロスイレーズを抑制すべく、多層干渉層でAu干渉層を置き換えその効果を調べた。多層干渉層によって基板側への熱拡散が抑制された結果、隣接トラックに及ぶ面内熱拡散が減少しクロスイレーズが改善された。更に上部保護層を高熱伝導率のAINで置き換えることによって反射層への熱流が急峻になり、より一層のクロスイレーズ低減効果が得られた。このような媒体熱伝導の制御と干渉効果による高いコントラスト比により、3Tジッタ8〜9%台の良好なOW特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-04
著者
-
喜々津 哲
(株)東芝, 研究開発センター
-
鈴木 克己
マルチメディア技術研究所
-
柚須 圭一郎
(株)東芝デジタルメディアネットワーク社コアテクノロジーセンター
-
芦田 純生
(株)東芝研究開発センター
-
森下 直樹
(株)東芝デジタルメディアネットワーク社コアテクノロジーセンター
-
芦田 純生
(株)東芝研究開発センター記憶材料デバイスラボラトリー
-
中村 直正
(株)東芝 デジタルメディアネットワーク社 コアテクノロジーセンター
-
市原 勝太郎
(株)東芝研究開発センター記憶材料デバイスラボラトリー
-
中村 直正
マルチメディア技術研究所
-
森下 直樹
マルチメディア技術研究所
-
市原 勝太郎
東芝研究開発センター 材料デバイス研究所
-
喜々津 哲
(株)東芝 研究開発センター
-
喜々津 哲
(株)東芝
-
市原 勝太郎
(株)東芝研究開発センター記憶教材デバイスラボラトリー
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