超低消費電力CMOS仮想短絡回路とその応用
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概要
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本報告では, MOSトランジスタの弱反転領域を用いた仮想短絡回路を提案する. 提案回路は, MOSトランジスタ2個のみで構成されるため高集積化が可能であり, 弱反転領域を用いているため低消費電力であると言う特徴を有している. また, 提案回路の2次的効果(チャネル長変調効果, デバイスミスマッチ, 温度依存)についての詳細な解析を行う. 最後に, 提案回路の応用として, 電流制御電流源および電圧制御電流源を提案し, MOSISの2.0μm CMOSプロセスパラメータを用いたSPICEシミュレーションの結果を報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
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