スピンバルブ膜の背後膜/保護膜構成に依存する磁気抵抗効果と層間結合
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概要
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We investigated the giant magnetoresistance (GMR) effect and interlayer coupling field (H_<int>) for spin-valve films, which were fabricated as a back layer (Cu and NiCr) and a thin Ta cap layer on a CoFe free layer. As the Cu back layer was thickened, the GMR ratio was enhanced and the H_<int>, oscillated. This behavior may be understood as a result of the spin-dependent potential created by the CoFe/Cu interface. On the other hand, the thin Ta cap layer enhanced the GMR effect.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2001-04-15
著者
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
早川 純
(株)日立製作所・中央研究所
-
星屋 裕之
(株)日立製作所中央研究所
-
目黒 賢一
(株)日立製作所中央研究所
-
目黒 賢一
日立中研
-
星屋 裕之
(株)日立製作所 中央研究所
-
目黒 賢一
(株)日立製作所 中央研究所
-
早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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