ZnO下地膜を用いた高結晶配向性スピンバルブ膜の検討 : 磁気抵抗効果・交換結合
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概要
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The crystal structure of spin-valve films with a ZnO underlayer was investigated. ZnO film has a strongly (002)-oriented structure, whereas spin-valve films deposited directly on the ZnO underlayer have a weak oriented structure. TEM observation shows the possibility of using a reaction layer at the ZnO/MnPt interface. We found that the insulation of very thin Cu layer in the ZnO/MnPt interface causes a large improvement of orientation in spin-valve films, and that the MR ratio is better than spin-valve films using Ta/NiFe underlayers because of both the high crystal orientation and the reduction in current shunting.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2002-04-01
著者
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星野 勝美
(株)日立製作所・中央研究所
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星野 勝美
(株)日立製作所中央研究所
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添谷 進
日立製作所中央研究所
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添谷 進
(株)日立製作所研究開発本部
-
星屋 裕之
(株)日立製作所中央研究所
-
星屋 裕之
(株)日立製作所 中央研究所
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星野 勝美
(株)日立製作所・中央研究所STR分室
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