Ta/NiFe膜の磁歪の膜厚依存性と界面への中間層挿入効果
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概要
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The magnetostriction in thin Ta/NiFe films used in spin-valve films was investigated. The anistropy field decreases and the magnetostriction increases for the thin NiFe layer. The magnetostriction increases linearly with reciprocal NiFe layer thickness. A simple theoretical description, which assumes that a bilayered film consists of layers with different magnetostrictions, explains this relationship between the reciprocal thickness and the magnetostriction. Insertion of an NiPt buffer layer at the Ta/NiFe interface affects the decrease in the magnetostriction and reduces its thickness dependence, and it is also possible in the spin-valve films.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2000-04-15
著者
-
星屋 裕之
(株)日立製作所中央研究所
-
川辺 隆
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
-
星屋 裕之
(株)日立製作所・中央研究所str分室
-
渡辺 克朗
(株)日立製作所中央研究所
-
川辺 隆
日立製作所・中央研究所
-
田島 康成
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
星屋 裕之
(株)日立製作所 中央研究所
-
川邊 隆
日立製作所・中央研究所
-
渡辺 克朗
(株)日立製作所 中央研究所
-
田島 康成
(株)日立製作所・ストレージシステム事業部
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