RIEを用いた多層レジストフレーム形成法の検討 (<特集>磁気ヘッド・磁気記録再生特性)
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概要
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We investigate multilayer resist processes using reactive ion etching (RIE) for the narrow-track resist frame of thin-film heads. In terms of the shape of the resist, the three-layer resist (photoresist/SiO_2/photoresist) process is better than the two-layer resist (Si containing resist/photoresist)process. Reducing the pressure of O_2 plasma during RIE causes the residue of the resist to vanish. A resist frame with a width of 1 μm and a height of 6 μm can be produced by using the three-layer resist process. Plating was performed within this frame.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1997-04-15
著者
-
岡田 智弘
(株)日立製作所
-
府山 盛明
(株)日立製作所
-
川辺 隆
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
-
芳田 伸雄
(株)日立製作所中央研究所
-
丸山 洋治
(株)日立製作所・中央研究所
-
芳田 伸雄
(株)日立製作所
-
芳田 伸雄
(株)日立製作所 中央研究所
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