無電解 NiP めっき膜中におけるリンの分布状態
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概要
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一般的に, 無電解ニッケルめっき膜のはんだ濡れ性やボンディング性は, ニッケルめっき膜中のリン含有率に大きな影響を受ける。本報ではめっき初期および後続の定常期における無電解ニッケルめっき膜のリン偏析と濃度について報告する。EPMA, GDOESおよびAES測定の結果から, 初期におけるめっき膜中のリン含有率は, 後続の定常期のめっき膜より高い値を示すことがわかった。無電解NiPめっき膜の最表面には, リンリッチ層が形成されていることを確認した。また, 約20-40nmのリンリッチ層は, めっき初期に生じ, この層は常に析出反応の進行に伴って, めっき表面の上部に留まることを確認した。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
石川 薫
関東学院大学大学院
-
本間 英夫
関東学院大学 工学部
-
本間 英夫
株式会社関東学院大学表面工学研究所
-
田代 雄彦
関東学院大学大学院
-
山本 誠二
関東学院大学大学院
-
本間 英夫
関東学院大学工学部物質生命科学科
-
田代 雄彦
株式会社関東学院大学表面工学研究所
-
山本 誠二
関東学院大学 大学院工学研究科
-
本間 英夫
関東学院大 工
-
中里 純一
関東学院大学工学部
-
中里 純一
Department of Industrial Chemistry, Faculty of Engineering, Kanto Gakuin University
-
中里 純一
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Engineering Kanto Gakuin University
-
田代 雄彦
関東学院大学 材料・表面工学研究センター
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