DMAB を還元剤とした無電解 NiB めっきの浴安定性とめっき膜のはんだ濡れ性評価
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概要
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The electroless Ni-B plating has attracted for the application of the electronics fields. However, it has not achieved to improve of bath stability and bath life yet. Accordingly, bath stability, deposition rate, boron content and wettability of the deposited films were studied using thirty kinds of complexing agents. Since, the reducing power of DMAB is stronger than the other reducing agents, bath stability is able to be improved by the balance of the reducing power and selection of complexing agent. Boron content in the deposited films decreased from 6wt% to 2wt% with increasing the deposition rate at the acidic region. On the other hand, boron content in the deposited films under alkaline region did not much influence by the bath pH and showed less than 1wt%. Generally, tensile stress of deposited Ni-B films is higher than the Ni-P films. However, when the sulphur compounds are added in the plating bath, the stress can be greatly reduced.
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2002-09-01
著者
-
川島 敏
メルテックス(株)
-
本間 英夫
関東学院大学 工学部
-
本間 英夫
株式会社関東学院大学表面工学研究所
-
田代 雄彦
関東学院大学大学院
-
大高 健
関東学院大学工学部
-
山本 誠二
関東学院大学大学院
-
本間 英夫
関東学院大学工学部物質生命科学科
-
田代 雄彦
株式会社関東学院大学表面工学研究所
-
山本 誠二
関東学院大学 大学院工学研究科
-
本間 英夫
関東学院大 工
-
田代 雄彦
関東学院大学 材料・表面工学研究センター
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