ニッケルマイクロバンプの形状に及ぼすピリジニウムプロピルスルホネイト添加の影響
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概要
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高アスペクト比バンプを形成するには, 水平方向の成長のみを抑制する異方性成長のめっきが必要となる。添加剤を入れないニッケルめっき浴でバンプ形成した場合は平坦なバンプとなったが, ピリジニウムプロピルスルホネート(PPS)を添加した場合は, 異方性成長が確認された。めっき浴のカソード分極状態を確認した結果, PPSはニッケル析出抑制効果があり, その効果はかくはんの影響を受けることが判明した。そこで, 液かくはん状態を変化させて確認した結果, 基板側面からめっき液をサンプルに供給し, さらに流速を制御することで, めっきは異方成長することがわかった。これは, PPSがバンプエッジ部に選択的に吸着し, 水平方向のめっき成長が抑制されたためと考える。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2005-11-01
著者
-
小岩 一郎
関東学院大学工学部物質生命科学科
-
本間 英夫
関東学院大学 工学部
-
本間 英夫
株式会社関東学院大学表面工学研究所
-
小岩 一郎
関東学院大学 大学院工学研究科
-
中丸 弥一郎
関東学院大学工学部物質生命科学科
-
本間 英夫
関東学院大学工学部物質生命科学科
-
角田 貴徳
関東学院大学 大学院工学研究科
-
本間 英夫
関東学院大 工
-
角田 貴徳
関東学院大学大学院 工学研究科
-
小岩 一郎
関東学院大 大学院工学研究科
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