フリップチップ実装を目的としたスルホコハク酸浴からのスズーインジウム共晶合金の電析
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概要
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スズ-インジウム共晶合金めっきは, 融点が低く, 優れた耐熱疲労性を有していることからLSI素子のフリップチップ実装への適用が期待される。2.2'-ジチオジアニリン, ポリオキシエチレン-α-ナフトールおよびポリエチレングリコール1000を添加剤とするスルホコハク酸浴(浴温25℃)から, 電流密度0.5∿3.0A/dm^2において, 共晶組成を有するスズ-インジウム合金皮膜が得られた。これらの添加剤の併用添加により, スズの優先析出が抑制された。スズ-インジウム共晶合金皮膜は, β-スズ相とインジウム相, InSn_4相およびIn_3Sn相からなり, その融点は117℃であった。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
縄舟 秀美
甲南大学理学部
-
水本 省三
甲南大学理学部
-
小幡 恵吾
(株)大和化成研究所
-
赤松 謙祐
甲南大学理工学部無機工業化学研究室
-
縄船 秀美
甲南大
-
内田 衛
石原薬品株式会社
-
小幡 恵吾
株式会社大和化成研究所
-
中谷 敏雄
甲南大学大学院自然科学研究科
-
縄舟 秀美
甲南大学理工学部
-
水本 省三
甲南大学理工学部 甲南大学ハイテク・リサーチ・センター
-
内田 衛
石原薬品(株)
-
内田 衛
石原薬品
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