エチレンジアミン錯体浴からの電析銅皮膜の室温軟化に及ぼす包含物の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The Effect of inclusion on room temperature softening of copper film electrodeposited from ethylenediamine complex baths was investigated along with its mechanism.Copper film electrodeposited from ethylenediamine complex baths under optimal plating conditions was found to increase in crystallite size and decrease in microhardness with the preservation of room temperature. This phenomenon was only found in cases of small crystallite size, containing a small quantity of inclusion at the time of electrodepositing.
- 社団法人 表面技術協会の論文
- 1995-09-01
著者
関連論文
- エリソルビン酸を還元剤とする無電解金めっき
- スルホコハク酸浴からのCuSn合金の電析
- メタンスルホン酸浴からのスズ-銀共晶合金めっき
- メタンスルホン酸浴からのスズ-銅合金めっき
- L-酒石酸錯体浴からのスズ-銀合金めっき
- スルホコハク酸錯体浴からのスズ-亜鉛合金めっき
- 有機溶媒からの電析によるイットリウム複合酸化物の作製
- イミダゾールを還元剤とする中性コハク酸イミド錯体浴からの無電解ニッケル-リン合金めっき素材への無電解銀めっき
- 有機-無機同時析出法によるポリピロール-金ナノコンポジットで覆われたポリスチレン微粒子の創出
- 界面微細構造制御による金属/ポリイミド樹脂間の接合
- 無電解Pd-P合金めっき皮膜とゴムとの接着 : めっき皮膜中のP含有量の影響
- 次の10年に向けての変革
- 2-アミノエタンチオールを還元剤とする無電解銀めっき
- DMABを還元剤とする無電解ニッケル-ホウ素合金めっきの物質収支および析出機構
- 無電解銅-二ッケル二元合金めっきおよびその電気抵抗特性
- 無電解ニッケル-銅-リン合金めっきの析出機構
- "ビルドアップ法プリント配線板"の製造を目的とした塗布型エポキシ樹脂のスルホン化を利用するダイレクトプレーティング
- エポキシ樹脂積層板のスルホン化を利用するダイレクトプレーティング
- FTIR ATR法による無電解銅めっき浴中の浴成分のモニタリング
- 置換反応によるクエン酸アンモニウム浴からの無電解金めっき
- 鉛フリーはんだ接合を目的としたメタンスルホン酸浴からの Sn-0.7Cu-0.3Ag 3 元合金の電析
- メタンスルホン酸浴からのスズ-銅合金の電析および皮膜特性 (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (Pbフリーはんだ(1))
- 化学的表面処理によるポリイミド樹脂のダイレクト・メタラリゼーション
- 低温鉛フリーはんだ接合を目的としたスズ-亜鉛共晶合金の電析および亜鉛の共析機構
- フリップチップ実装を目的としたスルホコハク酸浴からのスズーインジウム共晶合金の電析
- スルホコハク酸浴からのスズ-インジウム共晶合金の電析および皮膜特性 (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 21世紀への提言
- 第106回講演大会を震災復興なった神戸で
- ダイレクトメタリゼーション法による導電性微粒子の作製
- 21世紀の表面技術のために
- 無電解めっきのベーシックサイエンス(ベーシックサイエンスシリーズ第 1 回)
- 添加剤の予備吸着を利用する銅電析プロセスによるULSI微細配線の形成
- ULSI配線形成を目的としたエチレンジアミン錯体浴からのボイドフリー銅の電析
- ULSI銅配線の形成を目的としたエチレンジアミン錯体浴からの銅電析
- ヒドラジン化合物を還元剤とする無電解金めっきの析出挙動
- ULSI銅配線の形成を目的としたコバルト(2)化合物を還元剤とする中性無電解銅めっきの析出機構 (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- エポキシ樹脂のスルホン化を利用する導電性皮膜の形成
- ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂の表面改質を利用する Direct Metallization に関する基礎的研究
- ポリイミド樹脂の表面改質および熱圧着を利用する銅の Direct Metallization
- 樹脂の表面改質を利用する CdTe 化合物半導体薄膜の作製
- ニッケルおよび銅素材上への非シアン系中性無電解銀めっき (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 塗布型ポリイミド樹脂の表面改質を利用する銅のダイレクトメタラリゼーション (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- ギ酸を還元剤とする無電解パラジウムめっきの析出機構
- 中性無電解銅めっきによるULSI銅配線の形成
- ポリイミド樹脂の表面改質および紫外線照射による銀のDirect Patterning (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (表面処理技術)
- トリメチルアミンボランを還元剤とする 無電解パラジウムめっきの物質収支および析出機構
- 無電解銅めっき法によるULSI配線の形成
- 次亜リン酸塩を還元剤とする無電解パラジウム -リン合金めっき皮膜の特性に及ぼすリン共析の影響
- 次亜リン酸塩を還元剤とするエチレンジアミン錯体浴からの無電解Pd-P合金めっきの物質収支および析出機構
- "ビルドアップ法プリント配線板"の製造を目的としたエポキシ系感光性樹脂のスルホン化を利用するダイレクトプレーティング
- 熱硬化型PPE樹脂の表面改質を利用するダイレクトプレーティング
- ナノサイズ微粒子を利用した微細配線技術
- LSIインターコネクションへの銅めっき法の適用
- 鉛フリーはんだめっきの現状と課題(信頼性評価の現状と課題 : 鉛フリーはんだを中心にして)
- 銅微細配線技術の課題
- ギ酸を還元剤とするモノアミノジカルボン酸錯体浴からの無電解パラジウムめっき
- ギ酸を還元剤とするエチレンジアミン錯体浴からの無電解パラジウムめっき
- ULSI銅配線の形成を目的としたスズ(II)化合物を還元剤とする無電解銅めっき (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (表面処理技術)
- トリメチルアミンボランを還元剤とする無電解Pd-B合金めっきおよび皮膜特性
- トリメチルアミンボランを還元剤とする無電解パラジウムめっき皮膜の結晶構造
- エチレンジアミン錯体浴からの電析銅皮膜の室温軟化に及ぼす包含物の影響
- 熱拡散法により作製したスズーニッケル合金皮膜の耐食性
- 表面実装および相互接続を目的としたプリント配線板の表面処理
- グルコン酸浴からの光沢スズめっき
- グルコン酸浴からの光沢スズ-鉛合金めっき
- ピロリン酸浴からの光沢スズめっき
- ピロリン酸浴からの光沢スズ-鉛合金めっき
- 亜リン酸塩を還元剤とする無電解Pd-P合金めっき皮膜のはんだ付け性および接触抵抗
- 亜リン酸塩を還元剤とする無電解Pd-P合金めっきおよびその析出機構
- ゴムと無電解Pd-P合金めっき皮膜との加硫接着 : 硫黄量の影響と耐水性
- ゴムと無電解Ni系合金めっき皮膜との加硫接着
- ゴムと無電解Pd-P合金めっき皮膜との加硫接着
- フーリエ変換赤外全反射 (FTIR ATR) 法による無電解ニッケル-リン合金めっき浴の In Situ モニタリング
- EDTA錯体浴からの電気銅めっきおよびその皮膜物性
- FTIR ATR法による無電解パラジウム-リン合金めっき浴中の浴成分のモニタリング
- EDTAを錯化剤とする無電解銅めっきにおける分極特性
- 無電解Pd-Ni-P合金めっきとその皮膜特性
- 無電解パラジウムめっきの現状と将来 (無電解めっきの現状と将来)
- 電析パラジウム-ニッケル-リン合金の結晶構造と皮膜特性
- エチレンジアミン錯体浴からの銅電析および皮膜特性
- 無電解Pd-P合金めっき浴における分極特性
- 無電解銅めっき浴中における化学平衡
- エチレンジアミン錯体浴からの電析銅皮膜の室温軟化
- エチレンジアミン錯体浴からの無電解Pd-P合金めっき
- 電位差滴定法による無電解銅めっき液中のホルムアルデヒドの定量
- EDTA錯体浴からの無電解銅めっきの析出機構
- Electroless Gold Plating Using Erythorbic Acid as Reducing Agent
- Solderability and contact resistance of chemically deposited Pd-P alloys.
- タイトル無し