細胞アレイ化流路と二本差膜電位固定電極の融合

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-03-08

著者

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 三澤 宣雄

  豊橋技術科学大学

• 李 賢宰

  豊橋技術科学大学

関連論文

• プログレッシブ型pH・光融合イメージセンサの提案(立体撮像,高精細撮像,特殊撮像,および一般)
• 光・pH融合イメージセンサの提案と製作・評価(深い感性の喚起と情報センシング,高精細撮像,高感度及び一般)
• ポリイオン複合膜を用いたアセチルコリンイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
• 無線駆動型Si-MEMSマイクロセンサに向けたCMOS安定化電源回路(アナログ,パワーインテグリティ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 無線駆動型Si-MEMSマイクロセンサに向けたCMOS安定化電源回路(アナログ,パワーインテグリティ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• センサアレイと集積回路の融合によるバイオ・医療用スマートマイクロチップ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• アモルファスシリコンAPDを用いた広ダイナミックレンジ・イメージセンサ用回路の設計
• アモルファスシリコンAPDを用いた広ダイナミックレンジ・イメージセンサ用回路の設計(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
• SC-11-1 Si(111)CMOSにおけるMOSFET特性の改善(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
• 微小Siプローブとの一体化に向けたSi(111)CMOS信号検出回路
• 微小Siプローブとの一体化に向けたSi(111)CMOS信号検出回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
• マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si集積回路技術を用いた小型水分量センサの製作
• イオンイメージセンサ上での神経細胞の培養系の確立
• C-12-48 滑り覚検知能を実現するシリコンMEMS触覚イメージャー(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-72 SPICEを用いた流体集積回路の解析・設計技術(C-12.集積回路,一般セッション)
• 積層型マイクロ流路ミキサーを用いた多対少量混合
• マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• AT-1-1 社会の安全・安心にむけたユビキタス集積化マイクロセンサ技術(AT-1.安全・安心な生活のために:情報通信ネットワーク・回路・システム技術の挑戦,パネルセッションチュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• C-12-47 微小容量型センサアレイに向けた画素内集積型CV変換回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• 電気伝導度センサと温度センサを含んだマルチモーダルセンサの製作
• 溶液前処理機構を集積化したインテリジェント吸光測定チップの開発
• LSI技術を用いた農業用ECセンサに関する研究
• シリコン基板上のエピタキシャル強誘電体薄膜と焦電型赤外線センサアレイへの応用(第6回赤外放射応用関連学会等年会)
• 二次元イオン分布イメージングシステムの開発
• LSI技術とセンサ技術の融合によるインテリジェントスマートマイクロチップ(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
• エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型超音波トランスデューサアレイの製作
• 化学情報をノンラベルで可視化できる電荷転送型pHイメージセンサ
• 生体情報センシングを目指した体着型マルチモーダルセンサの試作
• 医療分野へ応用可能なpH・光マルチモーダルバイオイメージセンサの開発(特別企画「CCD誕生40年記念講演〜普及拡大期〜」,イメージセンサ一般)
• 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
• a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
• pHイメージセンサの開発(イメージセンサ技術の最新動向)
• 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 酸化膜還元法による極薄エピタキシヤルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用
• 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用
• 赤外線カメラを利用した農業用非接触水分量センシング
• 雑音除去機構および温度調節機構を集積化した吸光度測定スマートセンサチップの製作と基礎特性の評価
• 温度調節機構を集積化したC反応性タンパク測定用マイクロチップの設計と製作
• 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製
• 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製
• 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
• CCDを用いたpH二次元分布の画像化
• CCDを用いたpH二次元分布の画像化
• 低雑音センサインターフェース回路に向けた JFET 混載 CMOS 技術
• CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
• CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成
• センサインターフェースに適したJFET-CMOS混載型低雑音増幅器の形成
• シリコン光検出系を一体化した高分解能吸光光度測定チップ
• シリコン光検出系を一体化した高分解能吸光光度測定チップ(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
• 信号処理回路を集積化したヘモグロビン量測定マイクロチップ
• 光多重反射を用いたシリコン集積化ヘモグロビン量センサの諸特性
• エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγAl_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの検討
• チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの検討
• 11-7 チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの検討
• チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの提案
• チョッパレス焦電形赤外線イメージセンサの提案(イメージセンシング技術)
• 農業・畜産用マルチモーダルセンサ (特集 植物工場)
• APCOT 2006 Asia-Pacific Conference of Transducers and Micro-Nano Technology 報告
• 1-1情報センシング(映像情報メディア年報)
• 光学フィルタを必要としない蛍光検出フォトセンサの試作・評価(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
• センサアレイと集積回路の融合によるバイオ・医療用スマートマイクロチップ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 集積回路との一体化を目指したマルチチャンネルSiマイクロプローブ神経電位センサ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• APS 構造を用いたアモルファスシリコン系アバランシェ増倍型光電変換膜の蓄積動作特性
• a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討(映像入出力および一般)
• a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討
• n型多結晶シリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
• n型多結晶シリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
• 24-3 ポリシリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
• C-12-23 JFET混載CMOS技術を用いた演算増幅器の低雑音化手法(C-12.集積回路C(アナログ))
• C-12-24 JFET 混載 CMOS 技術を用いたセンサ用低雑音増幅回路
• 電界放出微小電子源型高感度光センサの広ダイナミックレンジ化(■固体撮像とその関連技術)
• バンドオフセットを持つa-Si:H系傾斜薄膜を用いたアバランシェ増幅型光センサ
• 12-4 5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究
• 微小電子源を用いた背面入射型フォトカソｰドの製作と高性能化
• Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
• Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
• 24-2 PZT薄板からの電界放出電子の画像化の検討
• 電界放出微小電子源型焦電赤外センサ
• 10-5 赤外線照射による強誘電体薄板からの電子の直接電界放出
• 強誘電体直接電界放出型赤外イメージセンサの原理
• 強誘電体直接電界放出型赤外イメージセンサの原理
• EID2000-19 強誘電体直接電界放出型赤外イメージセンサの原理
• 焦電体を用いた電界放出型赤外線センシングデバイス
• 強誘電体を用いた電界放出型赤外線検出素子
• 極微細マイクロチューブアレイの形成と溶液注入実験
• 挿入型農業用センサを利用したトマト培地のEC測定
• エピタキシャルγ-A1_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• エピタキシャルγ-Al_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク