白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の関係
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Pt1-xPdxO thin films were prepared by rf reactive co-sputtering of Pt and Pd target to obtain high quality PtO thin films. To reveal the effect of free carrier absorption caused by high carrier concentration in PtO thin films, its electrical properties and optical properties were measured and analyzed. In the result, quantities of absorption coefficient in visible to near ultraviolet light region were different between PtO films because of the difference of each carrier concentration. Despite this, these absorption coefficients become nearly the same quantities when subtraction of free-carrier absorption was applied. The effect of free carrier absorption decreases with increase of composition of PdO.
- 日本真空協会の論文
- 2009-03-20
著者
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中川 晃一
明治大学理工学部
-
岩井 祐貴
明治大学理工学部
-
松本 節子
明治大学理工学部
-
三浦 登
明治大学理工学部
-
松本 皓永
明治大学理工学部
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部
関連論文
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- ポップ・ロック音楽聴取時のイヤホン使用者の周囲音知覚
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 反応性スパッタリングによるPd添加WO_3薄膜のエレクトロクロミズム特性
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl2S4:Eu EL素子の作製 (電子ディスプレイ)
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製 (電子ディスプレイ)
- 白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の関係
- WO_3-Bi_2O_3混合薄膜の作製と評価
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価
- GdF_3を添加した青色蛍光体BaAl_2S_4:Euの特性変化
- BaAl_2S_4:Eu薄膜におけるBa^とEu^イオンの局所構造解析
- GdF_3を添加した青色蛍光体BaAl_2S_4:Euの特性変化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- BaAl_2S_4:Eu薄膜におけるBa^とEu^イオンの局所構造解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GdF3を添加した青色蛍光体BaAl2S4:Euの特性変化 (情報ディスプレイ)
- 白金酸化物薄膜の光学的特性と電子状態
- 無機EL用蛍光体の多元化による発光制御
- 電子ビーム蒸着BaAl_2S_4:Eu薄膜の光学的特性
- 電子ビーム蒸着BaAl_2S_4:Eu薄膜の光学的特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Chalcopyrite 型蛍光体薄膜の発光特性
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製
- 強誘電体多結晶(Sr_Ca_x)TiO_3を用いたキャパシタンス温度センサの開発
- 5)Tmイオン添加薄膜のELスペクトルにおける母体のバンド幅依存(情報ディスプレイ研究会)
- Tmイオン添加薄膜のELスペクトルにおける母体のバンド幅依存 : 情報ディスプレイ
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- スパッタリング法によるSi添加AIN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討
- Chalcopyrite 型蛍光体薄膜の発光特性
- Chalcopyrite型蛍光体薄膜の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 三元硫化物蛍光体の発光制御と薄膜エレクトロルミネッセンス素子への応用
- 高周波スパッタリング法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製
- 高周波スパッタリング法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- エレクトロルミネッセンス
- 窒素添加タングステン酸化物薄膜の光学的特性
- 超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
- 超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
- SID'04報告会 : Emissive Display
- SID'04報告会 : Emissive Display
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_:Eu薄膜の作製
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_ : Eu薄膜の作製
- レーザアニール法を用いた薄膜EL素子の作製
- レーザアニール法を用いた薄膜EL素子の作製
- レーザアニール法を用いた薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 10)Tm^イオンを添加した種々のEL素子(情報ディスプレイ研究会)
- Tm^イオンを添加した種々のEL素子 : 情報ディスプレイ
- Tm^イオンを添加した種々のEL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法によるCaAl_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法による高効率CaGa_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法によるCaAl_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法による高効率CaGa_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
- 半導体位置検出器による光の位置の測定とその応用
- 半導体位置検出素子とレーザー光を用いた弾性体棒の縦振動の測定
- 弾性体棒における縦振動のレーザー光による視覚化
- BaF_2 : Eu単結晶の励起及び発行 スペクトルのEu濃度依存症
- 多元系硫化物蛍光体を用いた白色発光薄膜EL素子の作製
- 高周波スパッタリング法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製
- 多元系硫化物蛍光体を用いた白色発光薄膜EL素子の作製
- 多元系硫化物蛍光体を用いた白色発光薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製
- A-(Mg,Zn)-S (A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製
- 7. 無機ELディスプレイ(平面ディスプレイ)
- A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性
- 青色発光BaAI_2S_4 : Eu EL素子の高効率化(ディスプレイ-Asia Display / IDW'01 関連-)
- 青色発光BaAl_2S_4:Eu薄膜の熱処理過程評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光BaAl_2S_4:Eu薄膜の熱処理過程評価
- 青色発光BaAl_2S_4 : Eu薄膜の熱処理過程評価
- BaAl_2S_4:Eu EL素子の電気的特性
- BaAl_2S_4:Eu EL素子の電気的特性
- BaAl_2S_4:Eu EL素子の電気的特性
- 2価Euイオンを添加したBaAl_2S_4青色発光薄膜EL素子
- 2価Euイオンを添加したBaAl_2S_4青色発光薄膜EL素子
- レーザアブレーション法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアブレーション法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製
- レーザアブレーション法によるBaAl_2S_4 : Eu薄膜の作製
- 母体にフッ化物を用いた薄膜EL素子 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 新光源用発光材料に関する研究
- 電子ビーム蒸着法によるBaAl_2S_4:EuEL素子
- 電子ビーム蒸着法によるBaAl_2S_4:Eu EL素子
- 電子ビーム蒸着法によるBaAl_2S_4:Eu EL素子
- Bi添加Nb_2O_5薄膜の作製と評価
- AuとPdを添加したタングステン酸化物薄膜の光学的特性とエレクトロクロミズム特性
- 薄膜EL素子におけるバッファ層の効果
- 薄膜EL素子におけるバッファ層の効果
- RF反応性スパッタリング法によって作製されたハフニウム添加酸化バナジウム薄膜の光学的特性
- BaF2:Eu単結晶の励起及び発光スペクトルのEu濃度依存性
- 無機EL(第5回蛍光体国際会議(STDP)報告)
- 第5回蛍光体国際会議(STDP)報告 : 無機EL
- ZnS薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光過渡特性における発光層の熱処理温度依存