松本 皓永 | 明治大学理工学部電子通信工学科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
松本 皓永
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三浦 登
明治大学理工学部
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部
-
川西 光宏
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川西 光宏
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
松本 節子
明治大学理工学部
-
松本 皓永
Department Of Electronics & Communications School Of Science And Technology Meiji University
-
郭 潤洪
明治大学理工学部電子通信工学科
-
郭 潤洪
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
渡邉 康裕
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川崎 大也
明治大学理工学部
-
顔 小帥
明治大学理工学部
-
渡邉 康裕
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
稲田 育弘
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中川 晃一
明治大学理工学部
-
大藤 潤二郎
明治大学理工学部
-
小川 貴由
明治大学理工学部
-
増田 勤
明治大学理工学部
-
岸 伸年
明治大学理工学部電子通信工学科
-
石間 孝郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
井手 大輔
明治大学理工学部電子通信工学科
-
渋沢 壮一
明治大学理工学部電子通信工学科
-
磯村 亮輔
明治大学理工学部電子通信工学科
-
堤 利幸
明治大学理工学部情報科学科
-
堤 利幸
明治大学理工学部
-
岩井 祐貴
明治大学理工学部
-
小林 秀幸
明治大学理工学部
-
横山 高士
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三浦 登
明治大学
-
野村 敬一
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
藪本 忠一
明治大学
-
石間 孝郎
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
井手 大輔
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
磯村 亮輔
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
小野 義明
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
野村 敬一
明治大学理工学部電子通信工学科
-
小椋 彰
明治大学理工学部
-
荻原 貴将
明治大学理工学部
-
須田 敏史
明治大学理工学研究科
-
萩原 貴将
明治大 理工
-
小野 義明
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三島 孝介
明治大学理工学部電子通信工学科
-
南 雅之
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三島 孝介
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
南 雅之
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
三島 啓似
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
永野 真一
明治大学理工学部電子通信工学科
-
永野 真一
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
植草 新一郎
明治大学理工学部
-
川崎 浩史
明治大学
-
山崎 将人
明治大学理工学部電子通信工学科
-
籔本 泰平
明治大学理工学部
-
植草 新一郎
明治大学
-
石森 敏文
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
佐々木 崇
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
石川 哲夫
郵政省
-
石川 哲夫
明治大
-
岡 俊行
明治大
-
中野 鎖太郎
明治大
-
岡 俊行
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学
-
荒井 俊彦
神奈川工科大
-
仁平 幸治
明治大学
-
木下 雄一
明治大学理工学部電子通信工学科
-
小椋 彰
明治大
-
荻原 貴将
明治大
-
小林 秀幸
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
小川 貴由
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
二宮 英俊
明治大学理工学部電子通信工学科
-
石森 敏文
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三 浦
明治大学理工 学部
-
中野 遼太郎
明治大学理工学部
-
三浦 トキワ
明治大学理工学部
-
南雲 健介
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
長谷 康彦
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
末包 通信
旭硝子株式会社 中央研究所
-
柳田 清一郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
南雲 健介
明治大学理工学部電子通信工学科
-
長谷 康彦
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三島 啓以
明治大学理工学部電子通信工学科
-
末包 通信
旭硝子株式会社中央研究所:(現)旭硝子郡山電材株式会社
-
三島 啓似
明治大学理工学部電子通信工学科
-
佐々木 崇
明治大 大学院
-
荒井 俊彦
明治大学
著作論文
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 反応性スパッタリングによるPd添加WO_3薄膜のエレクトロクロミズム特性
- 白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の関係
- WO_3-Bi_2O_3混合薄膜の作製と評価
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価
- GdF_3を添加した青色蛍光体BaAl_2S_4:Euの特性変化
- GdF_3を添加した青色蛍光体BaAl_2S_4:Euの特性変化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子ビーム蒸着BaAl_2S_4:Eu薄膜の光学的特性
- 電子ビーム蒸着BaAl_2S_4:Eu薄膜の光学的特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Chalcopyrite 型蛍光体薄膜の発光特性
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製
- 5)Tmイオン添加薄膜のELスペクトルにおける母体のバンド幅依存(情報ディスプレイ研究会)
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- スパッタリング法によるSi添加AIN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- Chalcopyrite 型蛍光体薄膜の発光特性
- Chalcopyrite型蛍光体薄膜の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 三元硫化物蛍光体の発光制御と薄膜エレクトロルミネッセンス素子への応用
- 高周波スパッタリング法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_ : Eu薄膜の作製
- レーザアニール法を用いた薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 10)Tm^イオンを添加した種々のEL素子(情報ディスプレイ研究会)
- Tm^イオンを添加した種々のEL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法によるCaAl_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法による高効率CaGa_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 半導体位置検出器による光の位置の測定とその応用
- 半導体位置検出素子とレーザー光を用いた弾性体棒の縦振動の測定
- 弾性体棒における縦振動のレーザー光による視覚化
- BaF_2 : Eu単結晶の励起及び発行 スペクトルのEu濃度依存症
- NbO_X反応性スパッタリング薄膜におけるフォトルミネッセンスの励起及び発光機構
- 高速フーリエ変換法による連成振動のスペクトル解析
- 半導体位置検出素子を用いた連成振動の振幅の測定
- ねじれ振動による連成振動の実験
- ZnS系螢光体における異状電界発光の研究(I)
- 多元系硫化物蛍光体を用いた白色発光薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製
- A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性
- 青色発光BaAI_2S_4 : Eu EL素子の高効率化(ディスプレイ-Asia Display / IDW'01 関連-)
- 青色発光BaAl_2S_4:Eu薄膜の熱処理過程評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光BaAl_2S_4 : Eu薄膜の熱処理過程評価
- BaAl_2S_4:Eu EL素子の電気的特性
- 2価Euイオンを添加したBaAl_2S_4青色発光薄膜EL素子
- 2価Euイオンを添加したBaAl_2S_4青色発光薄膜EL素子
- レーザアブレーション法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 母体にフッ化物を用いた薄膜EL素子 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 励起用N_2レーザの製作