レーザアブレーション法によるBaMgAl_<10>O_<17> : Eu薄膜の作製
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概要
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レーザアブレーション法と電子ビームアニーリング法を用いてBaMgAl_<10>O_<17> : Eu蛍光体薄膜を作製した。成膜した薄膜の結晶状態はアモルファスであり、薄膜は560nm付近にピークを持つ黄色のPL発光を示した。成膜後の電子ビームアニーリングにより薄膜は結晶化し、430nm付近にピークを持つ純度の良い青色PL発光を示した。CIE色度座標は(x=0.15、y=0.08)であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-17
著者
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三浦 登
明治大学理工学部
-
野村 敬一
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部
-
野村 敬一
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川西 光宏
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川西 光宏
明治大学 理工学部 電子通信工学科
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