Chalcopyrite型蛍光体薄膜の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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高輝度赤色無機エレクトロルミネッセンス素子の作製を目指して, 発光層材料としてI-III-S_2族Chalcopyrite型蛍光体を作製し, さらにPulsed Laser Deposition(PLD)法により薄膜作製を試みた. 数多く作製した蛍光体の中で, CuAlS_2にMnを1mol%添加したChalcopyritc型蛍光体からピークを619nm付近に持ち, 半値幅が約69nmのPhotoluminesccnceスペクトルを得ることができた. また, PLD法により成膜したCuAlS_2 : Mn薄膜の発光スペクトルは蛍光体と同様なスペクトルが得られ, EL素子の発光材料として有望であることがわかった.
- 2006-01-20
著者
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川崎 大也
明治大学理工学部
-
大藤 潤二郎
明治大学理工学部
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三浦 登
明治大学理工学部
-
松本 皓永
明治大学理工学部
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部
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