スパッタリング法によるSi添加AIN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
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概要
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高周波マグネトロンスパッタリング法によりSi添加AIN:Eu青色蛍光体薄膜を作製した。金属Alに添加物粉末の焼結体を埋め込んだターゲットを用いることによりSi、Eu濃度の制御を行なった。薄膜は、Eu^<2+>イオンに起因する450nm付近にピークを持つ青色のPL発光を示した。CIE色度座標は(0.169,0.130)である。Si添加効果を調べるために薄膜中にSi濃度を変化させたところ、薄膜中に添加したSiは発光強度および青色純度を高めるのに重要な役割を持っていることがわかった。絶縁層にBaTa_2O_6を用いた二重絶縁構造のEL素子を作製したが、発光は微弱であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-21
著者
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
稲田 育弘
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三浦 登
明治大学理工学部
-
松本 皓永
明治大学理工学部
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部
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