直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
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概要
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直流反応性スパッタリング法を用いて、BaAl_2S_4:Eu薄膜の作製を行った。導入ガスとしてArおよびH_2Sからなる混合ガスを使用した。混合ガス中のH_2S流量比率を2%、スパッタリング時の基板温度400℃、熱処理温度790℃の条件の時、最も良質なBaAl_2S_4薄膜が得られた。この薄膜を発光層とし、二重絶縁構造のEL素子を作製した。1kHz正弦波駆動においての輝度は14.44cd/m^2であった。さらに、ZnSバッファ層を挿入すると輝度が向上した。
- 2010-01-28
著者
-
渡邉 康裕
明治大学理工学部電子通信工学科
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松本 皓永
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
渡邉 康裕
明治大学 理工学部 電子通信工学科
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三浦 登
明治大学理工学部
-
松本 皓永
明治大学理工学部
-
中野 鐐太郎
明治大学理工学部
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