ZnS薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光過渡特性における発光層の熱処理温度依存
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概要
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The excitation mechanism in AG-electroluminescent (EL) devices has been the subject of much interest and controversy. Some EL properties have been successfully interpreted on the basis of a direct impact excitation model. However, a resonant energy transfer model as a dominant excitation process has been presented. There are only a few reports on the relation between broad-band emission intrinsic to ZnS host and the emission of doped ion. This paper reports the experimental results of transient behavior between broad-band and Tb^<3+> emission in ZnS thin-film EL devices excited by an alternating pulse voltage of very narrow width.
- 明治大学の論文
著者
-
三浦 登
明治大学理工学部電子通信工学科
-
中野 鐐太郎
School of Engineering, Meiji University
-
松本 皓永
School of Engineering, Meiji University
-
三浦 登
School of Engineering, Meiji University
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