Boron and Nitrogen in GaAs and InP Melts Equilibrated with B_2O_3 Flux
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概要
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- Japan Institute of Metalsの論文
- 2004-04-20
著者
-
NARUSHIMA Takayuki
Department of Materials Processing, Tohoku University
-
成島 尚之
Department Of Materials Processing Tohoku University
-
井口 〓孝
Department Of Materials Processing Tohoku University
-
OUCHI Chiaki
Department of Materials Processing, Tohoku University
-
Tajima Kazuki
Semiconductor Business Unit Dowa Mining Co. Ltd.
-
YAMADA Tsuyoshi
Compound Semiconductor Wafer Dept., Dowa Semiconductor Co., Ltd.
-
KUDO Taku
Compound Semiconductor Wafer Dept., Dowa Semiconductor Co., Ltd.
-
OTSUKA Akira
Semiconductor Business Unit, Dowa Mining Co., Ltd.
-
IGUCHI Yasutaka
Department of Metallurgy, Tohoku University
-
Kudo Taku
Compound Semiconductor Wafer Dept. Dowa Semiconductor Co. Ltd.
-
Ouchi C
Department Of Materials Processing Tohoku University
-
Ouchi Chiaki
Tohoku University
-
Narushima Takayuki
Department Of Materials Processing Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Iguchi Yasutaka
Department Of Materials Processing Tohoku University
-
Otsuka Akira
Semiconductor Business Unit Dowa Mining Co. Ltd.
-
Ouchi Chiaki
Department Of Metallurgy Tohoku University
-
Ouchi Chiaki
Department Of Materials Processing Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Yamada Tsuyoshi
Compound Semiconductor Wafer Dept. Dowa Semiconductor Co. Ltd.
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