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ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部 | 論文
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- 振幅の増減に基づく音楽電子透かしにおけるリードソロモン符号を用いた音質改善法(研究速報)
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
- プラズマ重合BCB膜成長技術と銅ダマシン配線への適用
- フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上
- advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上
- EB直描を用いた先端デバイスの試作
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 2005 SISPAD会議報告