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ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部 | 論文
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- 半導体デバイスの新しいシミュレーション技術〔I〕 : 微細CMOSのシミュレーション技術(1) : CMOSデバイスシミュレーションの高精度化
- 原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの進展と応用 : 微細MOSFETの真性ばらつき解析
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- サブ0.1μm次世代LSIにおけるナノ界面制御技術による銅配線信頼性制御技術
- SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御
- 低誘電率有機膜に銅を埋め込んだ高性能配線プロセスの開発
- A-7-19 音楽電子透かしにおける同期符号検出の改善法(A-7.情報セキュリティ,一般講演)
- 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス (シリコン材料・デバイス)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
- パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ : 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)