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ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部 | 論文

• InGaZnOチャネルの酸素制御と Gate/Drain Offset 構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
• Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス

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