スポンサーリンク
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- 走査型容量顕微鏡によるMOSFET動作時の不純物分布計測
- 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
- 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- 次世代極薄ゲートシリコン酸窒化膜の実現
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 27a-ZK-8 Sr_v_nO_系における^V核のNMR
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
スポンサーリンク