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(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 熱処理雰囲気に依存したLaAlO_3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
- ランタンアルミネート直接接合ゲート絶縁膜
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- (Ba, Sr) TiO_3膜の物理 : 第一原理計算と実験
- 6p-F-6 BaTiO_3薄膜に対する面内圧縮効果の第一原理計算による研究
- 30a-PS-35 Au/SrTiO_3界面のX線電子分光
- 4p-YD-12 Bi系銅酸化物の変調構造緩和による金属絶縁体転移
- 1a-J-3 Sr_La_xVO_4の電子状態
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
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