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(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 異方性エッチングにより作製したシリコン単電子トランジスタの室温動作 (マイクロマシン特集号)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- 新しい酸化物高温超電導体の探索
- 29p-PS-81 新しいSr-V-O層状酸化物の構造と磁気特性
- 28a-APS-15 Sr-V-O層状ペロブスカイトの構造と磁気異常
- 24a-K-4 Sr_3V_2O_7の金属絶縁体転移
- タングステンの化学的気相成長法
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- FeRAMの現状と将来技術
- 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LnBa_2Cu_3O_における希土類元素の混合効果
- 粉末および焼結体YBa_2Cu_3O_の高温における相安定性と微細構造変化
- Bi_Pb_xSr_2CaCu_2O_及びBi_Pb_ySr_2YCu_2O_