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(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文

• 高アスペクト比コンタクトホール加工における SiO_2/Si_3N_4 選択エッチング特性
• 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 次世代高誘電率ゲート絶縁膜HfSiONのしきい値劣化機構と寿命予測技術
• 硬X線光電子分光法による相変化光ディスク記録膜の解析(光記録技術,一般)
• 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響
• High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜 (特集:酸化物界面の電子状態・構造)
• Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構
• 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響 (特集 プラズマが誘起する表面反応)
• Flashのデバイス・シミュレーション技術
• Flashのデバイス・シミュレーション技術
• AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
• テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状
• Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
• 次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))

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