スポンサーリンク
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- 集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
- 加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定
- シリコン(100)及び(110)面上CMOSFETのひずみによる高電界キャリア速度変調
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-k 及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係
- ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
- ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 15p-DJ-3 Si表面上のハロゲン原子によるダイナミクス
- 27a-ZG-20 Si中の格子間原子による不純物拡散機構
- 29p-K-10 第一原理分子動力学法による格子間Si原子の熱拡散過程
- Si-CH_3結合を含む低誘電率層間絶縁膜の形成
- MOSFETにおける高精度移動度モデルの構築