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(株)東芝セミコンダクター社 | 論文
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- Chain FeRAM技術と将来展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- A 32Mb Chain FeRAM with Segment Stitch Array Architecture
- メモリセルトランジスタのシュリンクに適したDRAM array architecture
- 8Mb Chain Ferroelectric Memory〔和文〕 (特集 メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- ポーラス Low-k/Cu 配線におけるダメージ修復技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
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