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(株)東芝セミコンダクター社 | 論文
- 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発 : 流体工学, 流体機械
- 627 キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発
- Tiバリア表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討(ITSエレクトロニクス技術, ITS技術論文)
- C-2-43 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の特性(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- SC-9-7 フリップチップ接続タイプ GaAs HEMT の高周波特性
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
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- C-2-24 封止樹脂付きフリップチップ実装を用いたGaAs HEMTの高周波特性
- C-2-10 76GHz帯MMICゲートミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 薄膜逆マイクロストリップ線路T分岐の高周波特性
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析 : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC