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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 | 論文
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)